Intel и Micron разработали новую технологию хранения данных

Компании Intel и Micron

Technology сообщили о разработке новой

технологии хранения данных на новых

носителях памяти формата NAND. Если ранее

NAND-чипы могли хранить в одной ячейке

памяти один или два бита информации, то

сейчас компании представили трехбитовую

технологию, которая к тому же опирается

на современный 34-нанометровый

технологический процесс производства.

"Фундаментально, это

снизит общую стоимость флеш-носителей

на базе многоуровневых ячеек MLC", -

говорит директор по маркетингу Micron

Кевин Килбак.

Традиционно многоуровные

NAND-чипы используются в потребительских

устройствах хранения данных, таких как

флеш-карты или USB-накопители. Однако до

сих пор в этих устройствах применялась

технология сохранения до двух бит на

одну ячейку памяти. Новая разработка

при прочих равных условиях позволит

сократить размер чипов на 33% при сохранении

объемов.

Сейчас образцы новой

памяти производит только компания IM

Flash Technologies, являющаяся совместным

предприятием Micron и Intel. В обоих компаниях

сегодня сообщили, что технология хранения

3 бит на ячейку позволит создавать уже

в ближайшие недели самые дешевые и

энергоэффективные 32- и 64-гигабайтные

модули памяти для разнообразных цифровых

устройств.

Поступление новых

модулей на массовый рынок ожидается

ближе к концу текущего года. "Новая

технология позволит компаниям пробиться

в самое сердце рынка флеш-памяти, где

бюджетные технологии изначально

ценились. В итоге, Micron и Intel смогут

получать прибыль на убыточном для

остальных производителей рынке", -

уверен Джим Хэнди, аналитик компании

Objective Analysis.

Отметим, что 3-битовая

технология Micron и Intel не является дебютантом

на рынке. Еще в январе японская Toshiba

представила свою 3-битовую технологию

хранения данных, однако здесь был

использован 43-нанометровый техпроцесс,

а сами модули пока так и не дошли до

массового рынка. В Toshiba говорят, что

могут начать поставку своей разработки

также к концу года. Toshiba вела свои

разработки в партнерстве с SanDisk.

"Теперь посмотрим,

чем ответят корейские Hynix и Samsung, эти две

компании традиционно отличались своей

склонностью к производству товаров по

низким ценам", - говорит Хэнди.

В Intel говорят, что будут

создавать на базе новой технологии

съемные носители для портативной

электроники, однако создавать полноценные

компьютерные SSD-накопители на замену

жестким дискам компания при помощи

3-битовой технологии пока не намерена.

"Теоретически, мы

могли бы взять любой существующий

флещ-модуль и переделать его в соответствии

с новой технологией, увеличив емкость

на треть, либо снизив на треть его

физические размеры. Мы работаем по обоим

направлениям", - говорит Килбак.

В то же время, Трой

Уинслоу, директор по маркетингу

NAND-подразделения Intel признал и ряд

недостатков новых чипов. Главный их них

- недолговечность хранения данных.

"Точно также, как

2-битовая технология MLC не обеспечивает

столь же продолжительного хранения

данных, как однобитовая SLC (Single Level Cell),

трехбитовая технология предполагает

еще меньшее число циклов перезаписи и

меньшие сроки автономного хранения

информации. Именно поэтому пока мы не

готовы внедрять новинку в SSD-накопителях,

используемых для хранения критически

важных данных", - говорит он.

По материалам Cybersecurity.ru